Complementary metal-oxide-semiconductor

Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk. CMOS, ist eine Bezeichnung für Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-MOSFETs auf einem gemeinsamen Substrat verwendet werden.^[1]

Unter CMOS-Technik versteht man

• sowohl den verwendeten Halbleiterprozess, der zur Realisierung von integrierten digitalen wie analogen Schaltungen (ICs) verwendet wird,
• als auch eine Logikfamilie, die 4000er-Serie.

Auch viele nachfolgende Logikfamilien basieren auf der CMOS-Technik. Die Technik wurde 1963 von Frank Wanlass beim Halbleiterhersteller Fairchild Semiconductor entwickelt und auch patentiert.^[2][3] CMOS-Prozesse sind heutzutage die meistgenutzten für die Herstellung von Logikfamilien-Bausteinen.

1. ↑ R. Jacob Baker: CMOS circuit design, layout, and simulation. Fourth edition Auflage. Hoboken, New Jersey 2019, ISBN 1-119-48151-1 (englisch). 
2. ↑ Frank Wanlass, Chih-Tang Sah: Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes. In: 1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers. Vol. 6, 1963. 
3. ↑ Patent US3356858: Low stand-by power complementary field effect circuitry. Angemeldet am 18. Juni 1963, Erfinder: Frank M. Wanlass.‌